时间：2025/6/28 16:19:22
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TFM-120-01-S-D-A 是一种高频功率晶体管，专为射频（RF）和微波应用设计。该型号采用先进的半导体制造工艺，提供卓越的增益、效率和线性度。其封装形式适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代通信设备对小型化和高性能的需求。
这种晶体管广泛应用于无线通信系统中的功率放大器模块，例如基站、雷达以及卫星通信等场景。由于其出色的性能表现，在高频率范围内的信号传输中具有显著优势。
类型：功率晶体管
工作频率：18 GHz 至 40 GHz
增益：15 dB 典型值
输出功率（Psat）：2 W 典型值
最大耗散功率：15 W
电源电压：12 V 典型值
封装形式：SMD 封装
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
TFM-120-01-S-D-A 提供了非常高的工作频率范围（18 GHz 至 40 GHz），使其非常适合用于毫米波通信领域。它具备良好的线性度与效率，在高功率输出条件下仍能保持稳定的工作状态。
此外，这款器件采用了高效的散热设计以适应较宽的工作温度区间，并且通过优化内部结构实现了更低的噪声系数，从而提升整体系统性能。
该晶体管还具有优异的电气特性和机械可靠性，可以承受多次焊接热循环而不影响其性能。同时，它的封装符合RoHS标准，确保环保要求得到满足。
该型号适用于多种射频及微波应用场景，包括但不限于：
1. 无线通信基础设施中的功率放大器模块（如5G基站）
2. 雷达系统中的发射机部分
3. 卫星通信设备
4. 测试与测量仪器
5. 医疗成像设备
6. 工业加热和烹饪设备中的RF能量发生器
7. 汽车雷达传感器
由于其出色的高频性能和功率处理能力，TFM-120-01-S-D-A 成为了许多高端应用的理想选择。
TFM-120-02-S-D-A
TFM-120-01-M-D-A
TFM-150-01-S-D-A
