时间：2025/6/27 2:14:28
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TS1821LE是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于需要高效开关和功率管理的场合。其采用先进的制造工艺，能够提供出色的导通特性和快速开关能力。
TS1821LE适用于多种电子设备中的电源管理模块，例如适配器、充电器、DC-DC转换器等场景，同时也能在负载开关和电机驱动电路中发挥重要作用。
型号：TS1821LE
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：65mΩ（典型值，VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：5A
VGS(th)（阈值电压）：2.5V（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
TS1821LE具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于降低功率损耗，提升效率。
2. 较低的输入电容Ciss，支持更快的开关速度。
3. 高效的开关性能，适合高频应用环境。
4. 提供强大的抗静电能力（ESD保护），确保器件在各种条件下的可靠性。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，特别适合紧凑型电子产品。
6. 支持较宽的工作温度范围，适应工业级及消费级应用需求。
TS1821LE广泛用于以下领域：
1. 电源管理单元中的负载开关控制。
2. 开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器。
3. 各类便携式电子设备中的电池保护电路。
4. 电机驱动和小型继电器替代方案。
5. 数据通信接口保护与信号切换。
6. 通用功率开关应用，如LED驱动或音频放大器的电源控制。
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