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GA1210Y223MBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:05:40 查看 阅读:9

GA1210Y223MBAAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于多种功率转换和驱动应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够满足现代电子系统对效率和可靠性的要求。
  该型号属于沟道型 MOSFET,主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。其封装形式为 LFPAK88,能够提供出色的散热性能,适合高功率密度设计。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):1.5 mΩ
  漏源极耐压(Vds):120 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.8 V
  连续漏极电流(Id):223 A
  封装形式:LFPAK88
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210Y223MBAAT31G 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,这使其非常适合高效功率转换应用。此外,该器件还具有以下优点:
  1. 极低的导通电阻,减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  5. 小型化封装,节省电路板空间。
  这些特性使得该 MOSFET 在各种工业和消费类电子应用中表现出色。

应用

GA1210Y223MBAAT31G 广泛应用于需要高效功率控制的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动器中的功率级开关。
  3. DC/DC 转换器的核心功率元件。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  由于其高电流能力和低导通电阻,这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高功率密度的设计。

替代型号

GA1210Y223MBAAU31G

GA1210Y223MBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-