时间：2025/6/28 20:51:44
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TFM-108-02-F-D 是一种薄膜混合集成电路 (Hybrid IC)，主要用于高频信号处理、滤波器应用和射频模块设计。该元器件采用薄膜技术制造，具有高精度、低插入损耗和优异的温度稳定性。其设计通常用于通信设备、雷达系统以及高性能电子设备中，能够提供稳定的频率响应和可靠的性能。
型号：TFM-108-02-F-D
封装类型：陶瓷基板
工作频率范围：1 GHz 至 10 GHz
插入损耗：≤ 0.5 dB
回波损耗：≥ 15 dB
功率容量：1 W
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
尺寸：10 mm x 8 mm x 2 mm
TFM-108-02-F-D 的主要特性包括：
1. 薄膜工艺制造，确保高精度和一致性。
2. 频率响应稳定，适用于高频射频应用。
3. 插入损耗低，适合对信号完整性要求较高的场景。
4. 小型化设计，便于集成到紧凑型电路中。
5. 优异的温度稳定性，能够在宽温范围内保持性能不变。
6. 可靠性高，适合长时间连续运行的工业和军事应用。
7. 提供良好的电气隔离，减少干扰和串扰。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 无线通信设备，如基站、路由器和中继器。
2. 雷达系统，尤其是需要高频信号处理的场合。
3. 医疗设备中的信号处理单元。
4. 工业自动化设备中的高频控制模块。
5. 卫星通信系统中的射频前端。
6. 军事和航空航天领域的高性能电子系统。
TFM-108-02-F-D 的高频特性和稳定性使其成为这些应用场景的理想选择。
TFM-108-01-F-D
TFM-108-03-F-D
TFM-109-02-F-D
