IXDI409CI是一款由IXYS公司推出的高性能、双路高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该器件专为需要高驱动能力和快速响应的功率电子应用而设计,如电机控制、电源转换、逆变器系统等。IXDI409CI采用CMOS工艺制造,具有高抗噪能力和可靠性。其封装形式为16引脚SOIC,适用于工业级工作温度范围。
供电电压:10V至20V
输出峰值电流:±4.0A(典型值)
传播延迟:17ns(典型值)
上升时间/下降时间:3ns/3ns(典型值)
输入逻辑阈值:兼容CMOS/LSTTL
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:16引脚SOIC
IXDI409CI具备出色的驱动能力和高速性能,适合用于高频开关应用。其内部结构包含两个独立的驱动通道,每个通道均可提供高达±4.0A的峰值输出电流,从而有效驱动大功率MOSFET和IGBT器件。该芯片具有极低的传播延迟(约17ns)和快速的上升/下降时间(各3ns),确保了系统的高效能和低开关损耗。
该器件具备宽输入电压范围(10V至20V),适应多种电源配置,并提供高抗噪能力,确保在恶劣工业环境中稳定运行。输入逻辑兼容CMOS和LSTTL电平,简化了与控制器的接口设计。此外,IXDI409CI还内置了交叉导通保护功能,防止上下桥臂同时导通,提升了系统安全性。
该驱动器采用16引脚SOIC封装,便于PCB布局并节省空间,适用于各种紧凑型功率转换系统。
IXDI409CI广泛应用于各种功率电子系统中,包括工业电机驱动器、直流-交流逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、焊接设备、高频开关电源以及电动汽车充电系统等。其高速驱动能力和高可靠性使其成为需要高性能隔离驱动方案的理想选择。
IXDI414CI, TC4429, HIP4081, LM5114