时间：2025/7/15 20:14:15
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TFF8N60是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换设备。该器件采用先进的平面条形技术制造，具有低导通电阻和高耐压特性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及照明设备等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流：8A
漏源击穿电压：600V
栅源电压范围：±30V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
TFF8N60的主要特点包括低导通电阻、高速开关性能和良好的热稳定性。
首先，其低导通电阻确保在运行过程中产生较少的热量，从而提高系统效率并减少散热设计的复杂性。
其次，由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET具备优异的开关特性，可以有效降低开关损耗，适用于高频应用环境。
此外，TFF8N60的封装形式通常为TO-220或类似的高散热效率封装，有助于长时间工作的稳定性和可靠性。
最后，这款器件还具有较高的耐用性和抗过载能力，使其在严苛的工作环境下也能保持稳定的性能表现。
TFF8N60主要应用于各种电力电子设备中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制电路以及LED照明驱动电路等。
它也可以用于工业自动化设备中的开关控制模块，以实现高效的电能管理和优化整体系统性能。
除此之外，该MOSFET还可以作为逆变器和整流器的关键组件，提供稳定的功率输出，满足不同应用场景的需求。
TK8A60D, FQP8N60C, IRF840, STP8NK60Z
