MTP10N08 时间：2025/9/14 15:26:39 阅读：3

MTP10N08 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等电路中。该器件具有高效率、低导通电阻和高耐压特性，适用于中高功率应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏源电压：80V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.42Ω（在 Vgs=10V）
　　功耗：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

MTP10N08 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达 80V，适用于多种电源转换和管理应用。
　　其栅极驱动电压范围较宽，在 4.5V 到 20V 之间均可正常工作，使得其兼容多种驱动电路，如 PWM 控制器或微控制器输出。
　　该器件的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　此外，MTP10N08 在高温环境下具有良好的稳定性和可靠性，能够在恶劣环境中保持长期运行。

应用

MTP10N08 常用于多种电源相关应用，例如 DC-DC 升压/降压转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关控制。
　　在工业自动化系统中，它可用于驱动继电器、电磁阀和传感器等负载。
　　在消费电子产品中，该器件适用于电源适配器、充电器和 LED 照明驱动电路。
　　此外，它也广泛用于太阳能逆变器和电动车电源管理系统中，提供高效率和稳定性的功率控制。