时间：2025/6/3 14:23:14
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PJD50N10AL是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换和开关控制的场景。PJD50N10AL具有较低的导通电阻和较高的开关速度，使其在功率管理应用中表现出色。
这款器件采用先进的制造工艺设计，能够在高电流和高频工作条件下提供稳定的性能。此外，它具备良好的热稳定性和耐受性，适合要求严苛的工作环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：ton=37ns, toff=16ns
功耗：19W
结温范围：-55℃至+175℃
PJD50N10AL的主要特点包括低导通电阻，这可以显著降低传导损耗，从而提高整体效率。
其快速的开关速度有助于减少开关损耗，并且允许更高的工作频率。
同时，该器件具有优秀的热性能，能够有效散热以确保长时间稳定运行。
内置的雪崩保护功能增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
最后，其封装形式紧凑，方便集成到各种电路设计中。
PJD50N10AL广泛应用于多个领域，例如开关模式电源(SMPS)中的主开关管，用于提升电源转换效率；在电机驱动应用中作为功率级开关元件，用于精确控制电机速度和方向；以及在负载切换和保护电路中充当高速开关。
此外，它也适用于逆变器、不间断电源(UPS)系统、LED驱动器等需要高效功率处理的应用场景。
PJD50N10,
PJD50N10A,
FDP50N10,
IRF540N
