PJD50N10AL是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换和开关控制的场景。PJD50N10AL具有较低的导通电阻和较高的开关速度,使其在功率管理应用中表现出色。
这款器件采用先进的制造工艺设计,能够在高电流和高频工作条件下提供稳定的性能。此外,它具备良好的热稳定性和耐受性,适合要求严苛的工作环境。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:48nC
开关时间:ton=37ns, toff=16ns
功耗:19W
结温范围:-55℃至+175℃
PJD50N10AL的主要特点包括低导通电阻,这可以显著降低传导损耗,从而提高整体效率。
其快速的开关速度有助于减少开关损耗,并且允许更高的工作频率。
同时,该器件具有优秀的热性能,能够有效散热以确保长时间稳定运行。
内置的雪崩保护功能增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
最后,其封装形式紧凑,方便集成到各种电路设计中。
PJD50N10AL广泛应用于多个领域,例如开关模式电源(SMPS)中的主开关管,用于提升电源转换效率;在电机驱动应用中作为功率级开关元件,用于精确控制电机速度和方向;以及在负载切换和保护电路中充当高速开关。
此外,它也适用于逆变器、不间断电源(UPS)系统、LED驱动器等需要高效功率处理的应用场景。
PJD50N10,
PJD50N10A,
FDP50N10,
IRF540N