时间：2025/6/28 16:19:34
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TFC-110-02-F-D-A-K 是一种高性能的薄膜电容器，适用于高频和高稳定性应用场景。该型号采用了先进的薄膜技术制造，具有低ESR（等效串联电阻）、低ESL（等效串联电感）以及高耐压能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。其封装形式通常为轴向引线或径向引线设计，便于安装在各种电路中。
容量：1nF
额定电压：250V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
绝缘电阻：大于10GΩ
损耗角正切值：小于0.0005
尺寸：直径11mm x 高度23mm
TFC-110-02-F-D-A-K 具备出色的电气特性和机械稳定性。
1. 薄膜介质材料确保了其在高频条件下拥有较低的介电损耗，从而减少能量损失。
2. 极高的绝缘电阻使其能够长期保存电荷，适合脉冲电路应用。
3. 稳定的温度系数使得该电容器在极端温度范围内仍能保持稳定的电容值。
4. 结构紧凑且坚固耐用，适合于振动和冲击较大的环境使用。
5. 符合RoHS标准，环保无害，满足现代工业对绿色电子元件的要求。
该型号薄膜电容器广泛应用于高频滤波、射频电路、功率转换器、开关电源、逆变器以及音频设备等领域。具体应用包括：
1. RF通信设备中的匹配网络和滤波电路。
2. 高频开关电源中的储能和耦合功能。
3. 工业控制领域中的信号调理和抗干扰保护。
4. 音频放大器中的去耦和信号处理部分。
TFC-110-02-F-D-B-K
TFC-110-02-F-D-C-K
MEC1N251K
