时间：2025/5/8 18:16:11
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TF5N50是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），主要应用于高频开关电路、电源管理模块以及电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
TF5N50因其高雪崩击穿能力和稳健的设计，在需要高效能和可靠性的应用中表现优异。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：5A
栅极阈值电压：3V~6V
导通电阻（典型值）：1.8Ω
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃~150℃
TF5N50的主要特点是其高耐压能力，可承受高达500V的最大漏源电压，适用于高压环境下的各种应用场景。此外，它还具备低导通电阻，这有助于降低传导损耗，并提高整体系统的转换效率。
该器件支持较宽的工作温度范围，能够在极端条件下保持稳定性能。同时，其快速开关特性使其非常适合高频操作环境，从而减少开关损耗。
TF5N50还拥有良好的热稳定性及抗浪涌电流能力，确保在突发情况下仍能维持正常运行。
TF5N50广泛用于多种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电磁炉、LED驱动器以及工业控制领域中的电机驱动器。
由于其高压特性，也常见于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要处理高电压输入或输出的场合。
IRF540N
STP55NF06
FQP50N06L
