时间：2025/7/10 19:54:20
阅读：8
CL31C390JBCNNNC 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电机控制等场景。其出色的导通特性和低导通电阻使得它在高效率应用中具有显著优势。
型号：CL31C390JBCNNNC
类型：P沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：-400V
Rds(on)（导通电阻）：5.2Ω（典型值，在 Vgs=-10V 时）
Id（连续漏极电流）：-1.6A
Ptot（总功率耗散）：1.1W
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
CL31C390JBCNNNC 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，Vds 高达 -400V，适合高电压应用场景。
2. 低导通电阻 Rds(on)，在典型条件下为 5.2Ω，有助于减少传导损耗。
3. 小型化 SOT-23 封装，适用于空间受限的电路设计。
4. 宽工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，满足严苛环境下的应用需求。
5. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
CL31C390JBCNNNC 常用于以下领域和应用：
1. 开关电源中的负载开关。
2. DC/DC 转换器的同步整流元件。
3. 电池保护电路中的开关元件。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各类高电压保护和切换电路。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
7. 汽车电子系统中的电源管理和控制模块。
AO3402A, FDS4950B, BSS138
