TF536FG 时间：2025/12/27 0:11:51 阅读：17

TF536FG是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用而设计，广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板中。作为一款单通道肖特基二极管，TF536FG具备低正向压降和快速开关特性，能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品中的电源管理模块。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其不仅适用于工业级环境，也可用于汽车电子系统中对可靠性要求较高的场合。TF536FG在制造工艺上采用了先进的芯片技术和可靠的封装材料，确保在高温、高湿及振动等恶劣条件下仍能稳定工作。由于其出色的电气性能与机械稳定性，该器件已成为现代低电压直流电路中整流、续流、反向保护和能量回收等功能的理想选择之一。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：550mV @ 300mA, 1V @ 500mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 60V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限制）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q101

特性

TF536FG的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在典型工作电流300mA下，其正向压降仅为550mV左右，显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，在500mA满载条件下，最大压降也不超过1V，表现出良好的电流承载能力与热稳定性。
　　该器件具有极快的开关速度，反向恢复时间trr典型值仅为5ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电源、DC-DC转换器和开关模式电源中可有效抑制反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统效率和可靠性。此外，快速响应特性也使其适用于高频整流和信号解调等应用场景。
　　SOD-123FL封装是目前市场上最紧凑的表面贴装二极管封装之一，尺寸仅为2.1mm x 1.3mm x 1.0mm（典型值），极大节省了PCB布局空间，支持高密度集成设计。该封装还具备优良的散热性能，通过优化焊盘设计可实现高效的热传导路径，帮助器件在高负载下维持较低的工作温度。
　　TF536FG通过了AEC-Q101车规认证，意味着其在温度循环、高温高湿偏置、机械冲击和寿命测试等方面均满足汽车行业严苛的可靠性要求，可用于车载充电系统、LED照明驱动、车身控制模块等场景。此外，器件具备100μA以下的低反向漏电流，在60V反向电压下仍能保持良好阻断能力，适合用于电压箝位和防反接保护电路。整体而言，TF536FG在性能、尺寸与可靠性之间实现了优异平衡，是一款适用于多种现代电子系统的高性能肖特基二极管。

应用

TF536FG因其小巧的封装和优异的电气性能，被广泛应用于各类便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，主要用于电源路径管理、电池充放电保护、USB接口的过压与反接防护等。在这些设备中，低功耗和高能效是关键指标，TF536FG凭借其低正向压降和快速响应特性，能够有效降低系统功耗，提升能源利用率。
　　在电源管理系统中，该器件常用于DC-DC降压或升压转换器的续流二极管，防止电感反电动势损坏开关管，同时在轻载或待机状态下减少能量损耗。它也适用于AC-DC适配器的次级整流环节，尤其是在低输出电压（如5V或3.3V）情况下，相比普通整流二极管可显著提升转换效率。
　　在汽车电子领域，TF536FG可用于车载信息娱乐系统、仪表盘电源、LED车灯驱动电路以及小型电机控制器中，执行整流、隔离和瞬态电压抑制功能。其AEC-Q101认证确保了在极端温度变化和振动环境下长期稳定运行。
　　此外，该器件还可用于工业传感器、IoT节点、无线充电接收端、USB Type-C PD协议识别电路中的信号切换与保护，以及各类需要小型化、高可靠性的嵌入式控制系统中。无论是作为防反接二极管还是用于防止电源倒灌，TF536FG都能提供高效且稳定的解决方案。