2SB1184 TLQ 时间：2025/12/25 13:38:34 阅读：13

2SB1184 TLQ 是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道晶体管，属于双极结型晶体管（BJT）类别，通常用于开关和放大应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini），适合高密度印刷电路板设计。2SB1184 TLQ中的“TLQ”表示其为特定的包装规格和产品等级，适用于工业级工作温度范围，具有良好的稳定性和可靠性。这款晶体管常与互补的NPN型晶体管（如2SD1876）配对使用，以构建推挽输出级或H桥驱动电路，在电源管理、DC-DC转换器、电机控制和信号切换等场景中广泛应用。

参数

类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：-30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：-30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：-6V
　　集电极电流（IC）：-1A
　　功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC = -500mA）
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤ -0.25V（IC = -500mA, IB = -50mA）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：S-Mini (USMT)

特性

2SB1184 TLQ具备优异的开关性能和线性放大能力，适用于高频及中功率应用场景。其直流电流增益范围宽广，典型值在70至700之间，能够在较宽的负载范围内保持稳定的放大倍数，提升了电路设计的灵活性。该器件的饱和压降低于-0.25V，在大电流工作状态下能够有效减少功耗和发热，提高系统效率。同时，高达150MHz的过渡频率使其在高频开关应用中表现出色，例如用于DC-DC升压或降压转换器中的驱动级。
　　该晶体管采用S-Mini小型表面贴装封装，体积紧凑，有助于节省PCB空间，特别适合便携式电子设备和高集成度模块的设计需求。其热阻较低，散热性能良好，并且符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，2SB1184 TLQ经过严格的可靠性测试，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子外围电路以及消费类电源适配器等领域。
　　由于其电气特性和封装尺寸的优化设计，该器件在替换老型号时具备较高的兼容性。同时，东芝为其提供了完整的技术文档支持，包括详细的数据手册、应用指南和SPICE模型，便于工程师进行仿真验证和快速原型开发。整体而言，2SB1184 TLQ是一款高性能、高可靠性的通用P沟道BJT，适用于多种模拟与数字混合信号电路设计。