时间：2025/5/13 10:26:26
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TF3N50是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。其设计旨在提供低导通电阻和高效率的性能，同时具备快速开关速度和良好的热稳定性。
TF3N50采用了先进的制造工艺，确保了在高电流和高压条件下的可靠运行。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：40nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高击穿电压（500V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（1.8Ω），减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，降低开关过程中的能量损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下稳定工作。
5. 封装采用标准TO-220，便于散热和安装。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池保护电路
5. 负载开关和过流保护
6. 高频逆变器和脉宽调制（PWM）控制器
