型号：K15A20D
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值85mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF
　　输出电容（Coss）：典型值100pF
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

K15A20D作为一款高性能N沟道功率MOSFET，具备优异的电气特性和热稳定性，适用于多种高效率电源转换场景。其最主要的特性之一是高达200V的漏源击穿电压，使其能够安全地应用于输入电压较高的开关电源系统中，例如通用交流输入（85V~265V AC）的离线式电源适配器或工业电源模块。在此类应用中，MOSFET常作为主开关管使用，承担能量传递的核心角色。
　　该器件的导通电阻典型值为85mΩ，在同类200V N沟道MOSFET中处于较为优秀的水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。低Rds(on)意味着在通过15A连续电流时产生的热量更少，从而降低了对散热系统的要求，有利于实现紧凑化设计。同时，较低的导通压降也减少了系统的温升，提高了长期运行的可靠性。
　　K15A20D还具备较快的开关速度，得益于其相对较低的输入电容（Ciss）和米勒电容（Crss），使得它在高频PWM控制下仍能保持良好的动态响应性能。这对于现代高效DC-DC变换器尤其重要，因为高频工作可以减小磁性元件体积并改善瞬态响应能力。此外，该器件的栅极阈值电压范围合理（2.0V~4.0V），允许使用常见的逻辑电平信号进行驱动，但为了完全饱和导通，建议使用10V以上的栅源电压以确保最小化导通电阻。
　　热管理方面，TO-220封装提供了较好的散热能力，尤其是在加装散热片的情况下，可有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温可达+150℃，表明其具备较强的环境适应能力，可在高温工业环境中稳定运行。此外，内置的体二极管支持反向电流流通，对于含有感性负载的应用（如电机驱动或变压器初级侧开关）至关重要，能防止因反电动势造成的电压尖峰损坏其他元件。
　　总体而言，K15A20D凭借其高耐压、低导通电阻、良好热性能和成熟封装技术，成为众多中功率电力电子系统中的优选器件。然而，在实际应用中仍需注意栅极驱动设计、PCB布局优化以及过流、过压保护机制的配置，以充分发挥其性能潜力并保障系统安全性。

K15A20D广泛应用于各类需要高效、高电压开关控制的电力电子系统中。主要应用场景包括：开关模式电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC升压或降压转换器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源、小型逆变器、电池充电管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制设备。由于其200V耐压等级和15A的载流能力，特别适用于通用输入电压范围（85~265V AC）下的电源主开关管设计。在这些电源拓扑中，K15A20D通常被用作初级侧的高速开关元件，配合PWM控制器实现精确的能量调节。此外，在太阳能微逆变器或小型UPS系统中，该器件可用于H桥或推挽结构中的开关单元，完成直流到交流的转换过程。在电机控制领域，K15A20D可用于驱动直流电机或步进电机的H桥电路，利用其快速开关能力和低导通损耗来提高驱动效率并减少发热。在LED照明驱动中，特别是在隔离型反激拓扑中，K15A20D作为功率开关，能够实现高效率的恒流输出，满足商业和工业照明对能效与可靠性的要求。此外，该器件也可用于各类电子负载、电源测试设备以及智能电表中的开关模块。考虑到其TO-220封装易于安装散热片且便于维修更换，因此在中小批量生产和原型开发中也受到工程师青睐。尽管K15A20D并非最新一代超结MOSFET，但其成本效益高、供货稳定、技术成熟，依然是许多中低端和中等性能要求产品中的主流选择。

K16A20、K15T20、K20J20、STP16NF20、STP15NM20、FQP16N20、IRF740