TF252TH-5-H-TL-H是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用微型扁平引线(PowerPAK)封装技术。该器件专为高效率、高频开关应用设计,特别适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。TF252TH-5-H-TL-H内部集成了两个独立的肖特基二极管,连接方式为共阴极配置,这种结构使其非常适合用于双通道整流、输入保护以及电压钳位等电路中。由于采用了先进的硅工艺和低电感封装设计,该二极管具有极低的正向导通压降和快速的反向恢复特性,从而显著降低了开关损耗并提高了系统整体能效。此外,其无铅且符合RoHS标准的设计也满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。该器件在制造过程中经过严格的测试和筛选,确保在各种工作条件下都能保持稳定的电气性能和长久的使用寿命。
类型:双肖特基二极管阵列
配置:共阴极
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1.5A
峰值脉冲正向电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF):0.49V @ 1A, 0.6V @ 1.5A
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V
反向恢复时间(trr):< 1ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装类型:PowerPAK 1212-8S
安装类型:表面贴装(SMD)
湿气敏感等级(MSL):1级
引脚数:8
TF252TH-5-H-TL-H的核心优势在于其卓越的电学性能与紧凑的物理尺寸之间的完美平衡。该器件采用Vishay专有的PowerPAK封装技术,这种封装不仅提供了优异的热传导性能,还大幅减少了寄生电感和电阻,从而提升了高频下的动态响应能力。每个二极管单元都具备非常低的正向导通压降,在1A电流下典型值仅为0.49V,这意味着在大电流工作状态下能够有效减少功率损耗,降低温升,提高电源转换效率。这对于电池供电设备尤为重要,因为它可以直接延长续航时间。
另一个关键特性是其超快的反向恢复时间(trr < 1ns),这使得TF252TH-5-H-TL-H在高频开关环境中表现出色,几乎不会产生反向恢复电荷引起的开关尖峰或电磁干扰(EMI)。这一特点使其成为DC-DC转换器、同步整流电路和高频逆变器中的理想选择。同时,由于其共阴极结构,两个二极管可以并联使用以承载更大电流,也可以分别用于不同的信号路径进行独立控制。
该器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C,表明其在极端环境温度下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场景。封装符合AEC-Q101汽车可靠性标准,增强了其在车载电子系统如LED照明驱动、车载充电模块和电机控制单元中的适用性。此外,PowerPAK 1212-8S封装具有良好的散热性能,通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB,进一步提升热管理能力。
从制造工艺角度看,TF252TH-5-H-TL-H采用无铅焊接技术和绿色环保材料,完全符合RoHS指令和WEEE规范,支持现代电子产品对可持续发展的要求。器件还具备高抗潮湿能力(MSL=1),适合回流焊工艺,便于自动化生产装配。总体而言,这款二极管结合了高性能、小尺寸、高可靠性和环保特性,广泛应用于各类先进电子系统中。
TF252TH-5-H-TL-H因其优异的电气特性和紧凑封装,被广泛应用于多种高性能电子系统中。主要应用领域包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块,用于实现高效的DC-DC降压或升压转换电路中的同步整流功能。在这些设备中,低正向压降和快速开关特性有助于最大限度地减少能量损失,延长电池寿命。
在通信设备中,该器件常用于接口电路的瞬态电压抑制和ESD保护,防止因静电放电或电压浪涌导致的芯片损坏。其共阴极结构也可用于差分信号线路的双向钳位保护,保障数据传输的稳定性与安全性。
在计算机及服务器电源系统中,TF252TH-5-H-TL-H可用于VRM(电压调节模块)或多相供电架构中的续流二极管,协助实现高频率、高效率的电源转换。此外,在LED照明驱动电路中,它可用于防止反向电压冲击,提升光源系统的可靠性。
汽车电子是另一个重要应用方向,尤其是在车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元和车内照明控制系统中。得益于其符合AEC-Q101标准和宽温工作能力,该器件能够在振动、高温和湿度变化等恶劣环境下稳定运行。此外,在工业控制、医疗设备和物联网节点等对能效和空间有严格要求的应用中,TF252TH-5-H-TL-H同样展现出强大的适应能力和长期可靠性。
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