类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　最大正向电流（IF）：200mA（平均值）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：400mA
　　最大正向压降（VF）：0.38V @ 10mA, 0.62V @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 10V, 25°C；100μA @ 20V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 1ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-523（SC-79）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS compliant, Halogen-free

TF218A5-B-TL-H的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。在10mA的工作电流下，其正向压降仅为0.38V左右，远低于传统PN结二极管，这一特性使其非常适合用于低压、小电流的电源管理电路中，如电池供电设备中的防反接和反向电流阻断功能。此外，由于肖特基二极管的多数载流子导电机制，该器件几乎没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间小于1纳秒，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰，特别适用于高频开关电源和高速整流应用。
　　该器件采用双共阴极结构，内部集成两个独立但共用阴极的肖特基二极管，这种设计在同步整流或双路输出电源中具有独特优势，可以简化PCB布线并减少元件数量，提高系统可靠性。SOD-523封装尺寸小巧，典型尺寸约为1.2mm x 0.8mm x 0.6mm，非常适合空间受限的应用场景。尽管体积小，但其热性能经过优化，能够在-55°C至+125°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的环境条件。同时，器件具有较低的反向漏电流，在常温下仅为0.1μA@10V，有助于降低待机功耗，延长电池寿命。
　　TF218A5-B-TL-H还具备良好的抗浪涌能力，可承受高达400mA的峰值脉冲电流，增强了在瞬态负载或启停过程中的鲁棒性。其无铅和卤素-free设计符合现代电子产品对环保和安全性的严格要求，适用于自动化贴片生产线，支持回流焊工艺。总体而言，这款二极管在性能、尺寸和可靠性之间取得了良好平衡，是现代微型电子系统中理想的功率与保护元件选择。

TF218A5-B-TL-H广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，主要用于电源路径管理、电池充放电控制以及防止反向电流倒灌。在DC-DC转换器中，它常被用作续流二极管或输出整流元件，尤其是在升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑中，利用其低正向压降提升转换效率。此外，该器件也适用于USB接口的电源保护电路，提供过压和反接保护功能，确保后级IC的安全运行。
　　在通信模块和物联网设备中，TF218A5-B-TL-H可用于信号线路的钳位保护，防止静电放电（ESD）或瞬态电压冲击损坏敏感芯片。其快速响应特性使其能够及时导通并泄放异常能量，起到箝位和稳压作用。在传感器模块和微控制器单元（MCU）的供电电路中，该二极管可用于实现多电源之间的隔离与优先级切换，例如主电源与备用电池之间的自动切换逻辑。
　　此外，TF218A5-B-TL-H还可用于LED驱动电路中的电流隔离，或在低功耗无线充电接收端进行整流和防逆流处理。由于其小型封装和高集成度，特别适合用于高密度印刷电路板（PCB）设计，满足现代电子产品对轻薄化和高性能的需求。工业控制、汽车电子外围模块（非高温区）以及医疗可穿戴设备中也有广泛应用前景。

RB751V-30T1G
　　PMEMB18ALT
　　NSR218N2T1G
　　BAT54CWS