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KTC4080-O-RTK 发布时间 时间:2025/9/11 16:20:37 查看 阅读:38

KTC4080-O-RTK 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为 SOT-223,适合表面贴装,适用于紧凑型电路设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):1.2W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-223

特性

KTC4080-O-RTK 具备一系列出色的电气和热性能特点,适合高效率功率应用。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统整体效率。该 MOSFET 支持高达 10A 的连续漏极电流,适用于中高功率负载。采用 SOT-223 封装,具有良好的散热性能,适合在有限空间内实现高功率密度设计。
  此外,该器件具有较高的栅极电压容限(±20V),增强了在复杂电路环境中的稳定性和可靠性。其工作温度范围广泛(-55°C 至 +150°C),适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。KTC4080-O-RTK 还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器。其沟槽式结构优化了导通性能,同时降低了寄生电容,从而提高了开关速度和效率。

应用

KTC4080-O-RTK 适用于多种功率电子系统,包括但不限于以下应用场景:电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、LED 照明驱动电路、工业自动化设备和汽车电子控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、紧凑型设计中尤为突出。

替代型号

Si2302DS, IRF7409, FDS6680, AO4406A

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