时间：2025/9/11 16:20:37
阅读：50
KTC4080-O-RTK 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为 SOT-223，适合表面贴装，适用于紧凑型电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：1.2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-223
KTC4080-O-RTK 具备一系列出色的电气和热性能特点，适合高效率功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。该 MOSFET 支持高达 10A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载。采用 SOT-223 封装，具有良好的散热性能，适合在有限空间内实现高功率密度设计。
此外，该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂电路环境中的稳定性和可靠性。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。KTC4080-O-RTK 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其沟槽式结构优化了导通性能，同时降低了寄生电容，从而提高了开关速度和效率。
KTC4080-O-RTK 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用场景：电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED 照明驱动电路、工业自动化设备和汽车电子控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能、紧凑型设计中尤为突出。
Si2302DS, IRF7409, FDS6680, AO4406A
