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RFD40N10 发布时间 时间:2025/8/24 15:48:49 查看 阅读:4

RFD40N10 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):40A
  漏极-源极击穿电压(VDS):100V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大55mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220、TO-262、TO-263等

特性

RFD40N10 MOSFET 具备多项优异特性,适合高效率功率转换应用。其主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)):RFD40N10的最大导通电阻仅为55毫欧,这显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率,尤其在大电流应用中表现突出。
  2. 高耐压能力:漏极-源极耐压(VDS)高达100V,适用于中高功率开关应用,如电源适配器、DC-DC转换器和电池管理系统。
  3. 高电流承载能力:连续漏极电流可达40A,具备良好的热稳定性和过载能力,适用于电机驱动、逆变器和工业控制设备。
  4. 快速开关特性:该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),从而减少了开关损耗,提高了开关频率下的性能。
  5. 多种封装形式:RFD40N10提供TO-220、TO-262和TO-263等多种封装形式,便于在不同应用中灵活布局和散热管理。
  6. 热稳定性强:采用先进的工艺和封装技术,确保了器件在高温环境下仍能保持稳定工作,延长使用寿命。
  7. 宽工作温度范围:-55°C至+175°C的工作温度范围使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。

应用

RFD40N10 MOSFET广泛应用于多个领域,包括:
  1. 电源管理系统:如AC-DC电源适配器、服务器电源、通信设备电源等,用于高效的能量转换和稳压控制。
  2. DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)以及反激式转换器中作为主开关器件,实现高效能转换。
  3. 电机控制与驱动:用于工业电机控制、电动工具、电动自行车和机器人系统中,提供高电流驱动能力和快速响应。
  4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中作为关键开关元件,实现直流到交流的高效转换。
  5. 电池管理系统:用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全和高效运行。
  6. 汽车电子应用:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车载逆变器等,满足汽车电子对可靠性和耐温性能的高要求。

替代型号

IRFZ44N, FDPF40N10A, FQP40N10, STP40NF10

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