类型：双向TVS阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最大6.3V（@测试电流IT=1mA）
　　钳位电压（VC）：最大15V（@峰值脉冲电流IPP=1A）
　　峰值脉冲功率（PPP）：100W（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：最大1μA（@VRWM）
　　电容值（Ct）：典型值20pF（@1MHz，0V偏置）
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　封装形式：SOT-23-6
　　工作结温范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数量：6
　　极性：双向保护
　　响应时间：＜1ns

TISP4115J1BJ的核心特性之一是其低动态电阻与快速响应能力，使其能够在纳秒级别内响应瞬态过电压事件，并将电压钳制在安全水平以下，有效防止敏感CMOS电路因高压瞬变而发生闩锁或永久损坏。其内部结构由四个独立的双向瞬态抑制二极管组成，每个二极管均可在正负方向上对过压进行响应，适用于保护差分对或双极性信号线路。由于其最大钳位电压仅为15V（在1A脉冲电流下），即使在高能量瞬变条件下也能维持较低的输出电压，从而提升系统的可靠性。
　　另一个关键特性是其低寄生电容（典型值20pF），这对于高速数据传输接口至关重要。例如，在USB 2.0、RS-485、CAN总线或音频线路等应用中，若保护器件电容过高，会导致信号上升/下降时间延长、反射增加及整体信号完整性下降。TISP4115J1BJ凭借其优化的工艺设计，在保持高保护性能的同时最小化了对信号带宽的影响，支持高达数百Mbps的数据速率而不引入明显失真。
　　该器件符合多项国际EMC标准，包括IEC 61000-4-2（ESD抗扰度，最高±15kV接触放电）、IEC 61000-4-4（EFT抗扰度）和IEC 61000-4-5（浪涌抗扰度），表明其在复杂电磁环境中具备卓越的鲁棒性。此外，其SOT-23-6封装不仅节省PCB空间，还具备良好的焊接可靠性和自动化装配兼容性，适合大规模生产。器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造。最后，TISP4115J1BJ无需外部偏置电源即可工作，属于被动式保护元件，安装简便且维护成本低，广泛应用于需要长期稳定运行的工业控制系统、通信模块和便携式设备中。

TISP4115J1BJ广泛应用于各类需要高等级电磁干扰防护的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的现场总线接口保护，如Profibus、Modbus和CAN网络，这些通信链路常暴露于工厂环境中频繁开关感性负载所产生的电快速瞬变脉冲群（EFT），使用该器件可显著提高通信稳定性与设备寿命。在消费类电子产品中，它常用于USB端口、耳机插孔、HDMI接口和触摸屏控制器等易受人体静电影响的部位，防止用户操作时产生的ESD损坏主控芯片。
　　此外，在电信基础设施中，如DSL调制解调器、以太网交换机和光网络终端（ONT），TISP4115J1BJ可用于保护模拟前端和数据线路免受雷击感应或电源耦合瞬变的影响。汽车电子领域中，尽管该器件非AEC-Q101认证，但在车载信息娱乐系统或辅助驾驶传感器接口中仍可作为次级ESD防护方案使用，特别是在非动力总成区域的低压信号线上。
　　其他应用还包括医疗设备信号端口保护（如心电图机、监护仪的探头输入）、智能家居控制面板、POS机接口以及便携式测量仪器。由于其小尺寸和高性能的平衡，尤其适合空间受限但EMC要求严格的嵌入式系统设计。在PCB布局中，建议将其紧邻连接器放置，并通过短路径接地以最大化保护效果。结合共模扼流圈或磁珠等滤波元件，可构建多级EMI抑制网络，进一步增强系统抗扰能力。

SP1012-05UTG
　　TPD4S009DPVR
　　ESD5454B05LRH