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PJL9414_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 8:53:08 查看 阅读:21

PJL9414_R2_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的高性能运算放大器,专为高精度、低功耗和高稳定性应用而设计。这款运算放大器具有优异的电气性能和广泛的工作电压范围,适用于各种工业、消费类和汽车电子设备。PJL9414_R2_00001 是一款通用型运算放大器,适用于需要高精度信号处理的场景。其主要特点包括低输入偏置电流、低噪声、宽频带和高共模抑制比等,能够满足复杂电子系统的设计需求。

参数

类型:运算放大器
  制造商:Rohm(罗姆)
  型号:PJL9414_R2_00001
  封装类型:SOP
  工作电压范围:2.7V 至 36V
  输入偏置电流:1pA(典型值)
  带宽:10MHz(典型值)
  转换速率:6V/μs(典型值)
  输入失调电压:0.5mV(最大值)
  输出电流:±35mA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装规格:8引脚 SOP
  安装类型:表面贴装

特性

PJL9414_R2_00001 是一款高精度、低功耗的运算放大器,具备多项优异的电气特性。首先,其低输入偏置电流(典型值为 1pA)使其在高阻抗信号源的应用中表现出色,可以显著减少因偏置电流引起的误差。其次,该器件具有较低的输入失调电压(最大值为 0.5mV),确保了在精密放大和信号处理应用中的高精度性能。此外,PJL9414_R2_00001 的带宽为 10MHz,支持高频信号的放大和处理,适用于音频放大器、滤波器和传感器信号调理等应用场景。
  该运算放大器还具有高达 ±35mA 的输出电流能力,能够在驱动低阻抗负载时提供充足的电流支持。其高共模抑制比(CMRR)和高电源抑制比(PSRR)进一步提升了信号的稳定性和抗干扰能力,使其在噪声环境中仍能保持良好的性能。PJL9414_R2_00001 的工作电压范围较宽,支持 2.7V 至 36V 的单电源或双电源供电,适用于多种电源架构的设计需求。
  此外,该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,符合工业级和汽车级应用的标准,能够在恶劣环境下稳定工作。其采用 SOP-8 封装形式,适合表面贴装工艺,便于集成到紧凑的 PCB 设计中。PJL9414_R2_00001 还具备低功耗特性,适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。

应用

PJL9414_R2_00001 广泛应用于多个领域,包括工业自动化、消费电子产品和汽车电子系统。在工业控制领域,该运算放大器常用于传感器信号调理、数据采集系统和精密测量设备,其高精度特性和低失调电压能够有效提升测量精度。在音频应用中,PJL9414_R2_00001 可作为前置放大器、音频滤波器和扬声器驱动电路,提供清晰的音频信号放大。
  在汽车电子系统中,该器件可用于车载传感器信号处理、车载娱乐系统和车身控制模块,其宽工作温度范围和高可靠性确保了在恶劣环境下的稳定运行。此外,由于其低功耗特性,PJL9414_R2_00001 也适用于便携式设备和电池供电系统,如智能手表、无线耳机和手持测试仪器。在医疗设备领域,该运算放大器可用于心电图机、血压计和血糖仪等精密测量设备,帮助提升设备的测量精度和稳定性。
  此外,PJL9414_R2_00001 还适用于各种模拟电路设计,如比较器、积分器、微分器和电压跟随器等基础电路,满足不同电子系统的设计需求。

替代型号

PJL9414_R2_00001 的替代型号包括 LMV358、LMC662 和 OPA234。LMV358 是 Texas Instruments 推出的一款低功耗、宽电压范围的双运算放大器,具有与 PJL9414 相似的电气特性,适用于电池供电设备和低功耗应用。LMC662 是另一款高精度、低输入偏置电流的运算放大器,适用于传感器信号放大和高阻抗信号源的处理。OPA234 则是一款高精度、低失调电压的运算放大器,广泛用于精密测量和音频放大应用。这些替代型号在不同的应用场景中可提供相似的性能,但具体选型需根据电路设计需求和工作环境进行验证。

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PJL9414_R2_00001参数

  • 现有数量2,462现货
  • 价格1 : ¥4.69000剪切带(CT)2,500 : ¥1.65355卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1323 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)