时间：2025/5/8 16:50:15
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TF21364M-TR-JSM 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。
这款 MOSFET 采用小型封装设计，有助于提高电路板的空间利用率，并且具备良好的热性能，适合需要高效能量转换的应用场景。
漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：70nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TF21364M-TR-JSM 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关特性，减少开关损耗并支持高频操作。
4. 小型化封装，便于 PCB 布局设计。
5. 优秀的热稳定性和可靠性，确保在恶劣环境下的长期运行。
6. 具备 ESD 防护功能，增强产品耐用性。
这些特点使得该器件成为电源管理、电动工具以及汽车电子等领域的理想选择。
TF21364M-TR-JSM 的典型应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器的同步整流电路。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 消费类电子产品中的高效能电源解决方案。
由于其出色的电气性能和热性能，这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的应用中表现优异。
IRF3205, FDP5800, AO3400
