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1206N120G201CT 发布时间 时间:2025/6/4 13:25:28 查看 阅读:6

1206N120G201CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),由知名半导体厂商生产。该型号设计用于高频和高功率应用场景,例如射频放大器、无线能量传输设备以及雷达系统等。其封装形式为表面贴装 (SMD),具有紧凑的尺寸和卓越的电气性能。
  这款 GaN HEMT 的主要特点是能够在高频条件下保持高效率和高增益,同时具备较低的导通电阻和较高的击穿电压,非常适合需要高性能和高可靠性的应用场合。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:20A
  输出功率密度:4W/mm
  栅极电荷:15nC
  导通电阻:30mΩ
  击穿电压:150V
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1206N120G201CT 拥有卓越的高频性能和高效的功率转换能力。与传统的硅基 MOSFET 相比,它能够提供更高的开关速度和更低的导通损耗,从而提高整体系统效率。
  GaN 技术还赋予了这款晶体管更高的热稳定性,使其在高温环境下依然可以保持稳定的工作状态。
  此外,1206N120G201CT 采用紧凑型 SMD 封装,减少了寄生电感和寄生电容的影响,进一步提升了高频性能。
  该器件还支持快速的开关切换,适用于高频率下的脉冲调制应用。通过优化的制造工艺,保证了低噪声和高可靠性。

应用

1206N120G201CT 广泛应用于高频功率放大器、Doherty 放大器、基站射频模块、航空航天及国防雷达系统、工业微波设备以及无线能量传输领域。
  由于其高效率和高功率密度的特点,也常被用作激光驱动器或高速开关电路的核心元件。
  另外,这款芯片还适合于要求苛刻的工业和医疗设备中,例如超声波发生器和粒子加速器等。

替代型号

1206N120G101CT, 1206N120G301CT

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1206N120G201CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.49317卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-