VHF201209H1N2ST是一款基于硅技术的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压和中等功率应用,具有较低的导通电阻和良好的开关性能,广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他功率转换系统。
其封装形式为SOT-23,具备小尺寸和高效散热的特点,适合紧凑型设计需求。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:2A
导通电阻:4.5Ω
栅极电荷:30nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
VHF201209H1N2ST具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(650V)使其能够承受较高的漏源电压,适应各种高压环境。
2. 导通电阻低至4.5Ω,在大电流条件下减少功耗并提升效率。
3. 快速开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
4. SOT-23小型封装,节省PCB空间且易于安装。
5. 工作温度范围广(-55℃至+175℃),确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
这款MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED照明驱动器。
5. 电池管理系统中的功率管理模块。
6. 各类工业电子设备中的功率转换和调节电路。
VHF201209H1N1ST, IRF540N, FQP12N60