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M58BW016DB80T3F 发布时间 时间:2025/5/10 10:31:42 查看 阅读:7

M58BW016DB80T3F 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,由 Macronix(旺宏电子)生产。该芯片主要用于大容量数据存储,广泛应用于消费类电子产品、嵌入式系统和工业设备中。其设计结合了高速读写性能与高可靠性,能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。
  这款芯片采用先进的制程工艺制造,具备低功耗和小封装的特点,非常适合需要高效能与小型化设计的应用场景。

参数

容量:16Gb
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA 169
  页大小:16KB
  区块大小:2MB
  数据保存时间:10年
  擦写寿命:3000次

特性

M58BW016DB80T3F 的主要特性包括:
  1. 高密度存储:单颗芯片提供 16Gb 的存储容量,适合需要大容量存储的应用。
  2. 快速接口:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够实现更高的传输速度,满足高速数据存取需求。
  3. 低功耗设计:通过优化电路设计和先进制程技术,显著降低芯片在运行时的功耗。
  4. 可靠性高:具备 ECC(错误校正码)功能,可有效检测并纠正数据传输中的错误,确保数据完整性。
  5. 小型封装:采用 BGA 169 封装形式,减小了芯片占用的 PCB 空间,适用于紧凑型设计。
  6. 广泛的工作温度范围:支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适应各种恶劣环境下的应用。

应用

M58BW016DB80T3F 主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  2. 嵌入式系统:如工控机、网络设备、安防监控系统等,为系统提供稳定可靠的存储解决方案。
  3. 工业设备:如自动化控制设备、医疗仪器等,要求高可靠性和长使用寿命的存储应用。
  4. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 中的主要存储介质,提供大容量和快速存取能力。

替代型号

M58BW016DB80T2F, M58BW016DB80T4F

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