时间：2025/4/28 17:37:14
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SP2526A-1EN-L/TR 是一款高性能的单通道 N 沣道 MOSFET，采用超小型 SOT-23-3 封装。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合用于便携式电子设备中的负载开关、电源管理以及信号切换等应用。
该型号在设计上注重效率和空间节省，其紧凑的封装形式使其非常适合对体积有严格要求的应用场景。
类型：N 沢道增强型 MOSFET
封装：SOT-23-3
漏源极电压(Vds)：30V
栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2.8A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω（最大值，Vgs=4.5V）
总功耗(Ptot)：440mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SP2526A-1EN-L/TR 提供了出色的电气性能，特别是在低导通电阻方面表现突出。其典型 Rds(on) 在 Vgs=4.5V 时仅为 0.12Ω，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
此外，该器件还具有快速开关能力，支持高频操作，并且具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
由于采用了 SOT-23-3 封装，这款 MOSFET 不仅体积小巧，而且安装简便，非常适合现代电子设备中高密度布局的需求。
SP2526A-1EN-L/TR 广泛应用于各种便携式电子产品和消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其典型应用场景包括：
- 负载开关
- 电池保护电路
- 电源管理模块
- 数据信号切换
- 小功率电机驱动
这些应用都得益于其低导通电阻和高效率特性，同时紧凑的封装形式也满足了小型化设计的要求。
SPM33PN20UH, AO3400A
