时间：2025/5/15 9:29:22
阅读：9
TF15N10G是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，适合在高效率功率转换应用中使用。
这款MOSFET采用TO-252封装形式，便于表面贴装，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：12A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：45nC
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 具备出色的热稳定性和抗静电能力（ESD保护）。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. TO-252封装，适合表面贴装技术（SMT），节省空间并简化生产流程。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
IRFZ44N
FDP15N10
STP12NF10
