时间：2025/5/9 8:54:44
阅读：18
BUK9K6R8-40E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的功率MOSFET技术制造，适用于各种开关和功率转换应用。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足高效能电源设计的需求。
BUK9K6R8-40E的封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于工业、消费电子以及汽车领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.2mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1760pF
开关时间：典型值 t_on=18ns，t_off=40ns
工作结温范围：-55℃至175℃
BUK9K6R8-40E具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，可适应高频开关应用。
3. 强大的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且安全。
5. 封装坚固耐用，支持自动化生产流程。
这些特点使该MOSFET非常适合用作降压转换器、电机驱动器以及负载开关等场景中的关键组件。
BUK9K6R8-40E的主要应用领域包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器，例如笔记本电脑适配器和电信设备供电系统。
3. 汽车电子控制单元（ECU）、车载充电器及照明系统。
4. 各类工业控制与自动化装置，如伺服驱动和逆变器。
5. 消费电子产品内的电池管理电路。
BUK9B6R8-40E, IRFZ44N, FDP5570
