时间：2025/5/26 12:47:09
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KTC4075-BL-RTK/P 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于需要高效率、低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备优秀的电气性能和可靠性，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：110nC
反向传输电容：135pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
KTC4075-BL-RTK/P 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度，可支持高频操作，减少开关损耗。
4. 优化的热性能设计，能够有效散发运行过程中产生的热量。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 良好的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣环境下的稳定工作。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 各种电机驱动应用，如电动车窗、电动座椅等。
4. 负载切换及保护电路。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
6. 工业自动化控制中的功率调节与分配。
KTC4075-DL-RTK/P, IRF7729, FDP077N03L
