时间：2025/5/23 22:03:02
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TF090P03N 是一款基于 MOS 工艺的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够满足高效能电子设备的需求。
这款功率 MOSFET 采用了 TO-252 封装形式，适合表面贴装工艺，有助于实现更紧凑的设计和更高的生产效率。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：90A
导通电阻：3mΩ
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TF090P03N 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。这使得它在高功率密度的应用中表现优异，并且可以显著降低传导损耗。
此外，该器件还具有快速开关速度和良好的热稳定性，使其能够在恶劣的工作环境下保持性能稳定。
它的封装设计也考虑到了散热需求，有助于提高系统的整体效率。
TF090P03N 常用于需要大电流和低导通损耗的场景，如消费类电子产品的电源适配器、工业设备中的 DC-DC 转换模块以及电动汽车的电池管理系统。
由于其出色的电气特性和封装优势，它还被广泛应用于各种电机控制电路和负载开关中。
IRFZ44N
STP90NF03L
FDP098N03L
