432H-26 时间：2025/12/25 6:57:44 阅读：22

432H-26是一种工业级的高压MOSFET晶体管，广泛用于电源管理、开关电源、电机控制等领域。这款晶体管具有高电压耐受能力、低导通电阻以及快速开关特性，适用于高效率的功率转换系统。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：600V
　　最大漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：0.26Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-247

特性

432H-26 MOSFET具有出色的电气性能和热稳定性，其高耐压能力使其适用于600V的高压应用场景。该器件的低导通电阻确保了在大电流工作时的低损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，其快速的开关特性有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了器件的高可靠性和长寿命。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。在工业控制、电源转换器、电动工具以及电动汽车充电系统中均有广泛应用。
　　此外，432H-26还具备较强的抗雪崩能力，在突发的高电压或大电流冲击下仍能保持稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。同时，该器件的栅极驱动特性优化，降低了驱动电路的设计复杂度，并提升了整体系统的响应速度和稳定性。