时间：2025/5/14 18:47:03
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TF070N04N是一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电路中，其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高效能功率转换应用。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性。其封装形式通常为SOT-23，适合表面贴装技术（SMT），从而简化了生产流程并提高了产品的紧凑性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：2.2A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：5nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻：TF070N04N的典型导通电阻仅为70毫欧，可显著降低导通损耗，提高效率。
2. 小型封装：采用SOT-23封装，占用空间小，适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用。
3. 高电流能力：支持高达2.2A的连续漏极电流，满足多种功率级需求。
4. 宽工作温度范围：从-55℃到150℃的工作温度范围确保了器件在极端环境下的稳定性。
5. 快速开关特性：低栅极电荷和优化的设计使得开关损耗最小化，非常适合高频应用。
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