时间：2025/5/13 10:55:45
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STP4NK80ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220FP封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他功率管理场景。其特点是低导通电阻和高击穿电压，适合中高功率应用环境。
STP4NK80ZFP在设计上注重效率与散热性能的平衡，能够承受较高的漏源电压，并具备较低的导通损耗，这使其成为许多功率转换电路的理想选择。
最大漏源电压：800V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：1.9Ω
功耗：35W
结温范围：-55℃至+175℃
STP4NK80ZFP是一款高压MOSFET，具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为1.9Ω（典型值），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 栅极电荷较低，支持快速开关操作，减少开关损耗。
4. 采用TO-220FP封装，具备良好的散热性能，方便安装和使用。
5. 结温范围宽广，能够在极端温度条件下可靠工作，适应恶劣环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的制造要求。
STP4NK80ZFP适用于以下典型应用：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 不间断电源（UPS）和逆变器中的功率转换。
5. 各种工业自动化设备中的高压开关应用。
6. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场合。
STP4NK80ZL, STP4NK80Z
