时间：2025/12/26 3:06:28
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SCDB2D15NT3R3是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，专为高频开关应用和高效电源管理设计。该器件采用双二极管配置，具有低正向电压降和快速恢复特性，适用于需要高效率和低功耗的电子系统。SCDB2D15NT3R3广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信基础设施以及便携式电源管理系统中。其紧凑的表面贴装封装（如PowerQuadFN或类似小型化封装）使其非常适合空间受限的应用场景，并且具备良好的热性能和可靠性。
该器件的设计重点在于降低导通损耗并提升整体能效，特别适合用于DC-DC转换器、整流电路、反向极性保护以及高频整流场合。由于采用了先进的半导体制造工艺，SCDB2D15NT3R3在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，增强了系统的环境适应能力。此外，该产品符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代绿色电子产品的生产要求。通过优化的芯片结构与封装技术，这款二极管在开关速度、漏电流控制及热稳定性之间实现了良好平衡，是中低功率应用中的理想选择之一。
类型：肖特基势垒二极管阵列
配置：双二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：15V
最大直流阻断电压（VR）：15V
平均整流电流（IO）：2A（每元件）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：10A（8.3ms单半波）
最大正向电压（VF）：550mV @ 1A（典型值）
最大反向漏电流（IR）：1mA @ 15V（最大值）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
封装类型：PowerQuadFN（4引脚）
安装方式：表面贴装（SMD）
SCDB2D15NT3R3的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的物理尺寸相结合，能够显著提升电源系统的转换效率。其低正向压降（典型值仅为550mV @ 1A）意味着更低的导通损耗，这对于电池供电设备或对能效敏感的应用至关重要。这一特性直接转化为更少的热量产生和更高的系统可靠性，减少了对外部散热措施的需求。
该器件的快速开关响应能力源于其肖特基势垒结构，不存在少数载流子存储效应，因此几乎无反向恢复时间（trr可忽略），极大降低了开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频PWM控制电路和同步整流拓扑。同时，其双二极管配置允许灵活用于全波整流、共阴极/共阳极连接或其他逻辑级信号钳位应用，增强了设计灵活性。
SCDB2D15NT3R3采用PowerQuadFN封装，具有四个引脚，其中两个中间引脚通常连接到阴极以增强电流承载能力和散热路径。这种封装设计不仅提升了功率密度，还改善了焊点可靠性，适合自动化回流焊工艺。其低热阻特性确保即使在高负载条件下也能有效将热量传导至PCB，维持结温在安全范围内。
此外，该器件具备出色的温度稳定性和长期可靠性，在-55°C至+150°C的工作结温范围内性能变化小，适合严苛环境下的使用。反向漏电流虽高于普通PN结二极管，但在15V工作电压下仍控制在1mA以内，属于可接受范围。综合来看，SCDB2D15NT3R3是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的先进肖特基二极管解决方案。
SCDB2D15NT3R3常用于各类中小功率电源转换系统中，尤其是在追求高效率和小体积的设计中表现突出。典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，用作输出整流或续流二极管；智能手机、平板电脑、移动电源等产品中的电源路径管理模块也广泛采用此类器件。
在工业控制领域，它可用于PLC输入接口的信号隔离与钳位保护，防止瞬态电压损坏敏感逻辑电路。通信设备中的电源模块同样受益于其低VF和快速响应特性，有助于提高数据传输链路的电源纯净度和系统稳定性。
此外，该器件适用于USB供电电路、电池充电管理单元、LED驱动电源以及反接保护电路。由于其支持表面贴装自动化生产，适合大规模批量制造，广泛用于消费类电子产品生产线。在汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐系统电源）中也有潜在应用，前提是工作条件在其额定参数范围内。
NSR2D15NT3G
FSL2D15NT3
