最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　额定集电极电流(Ic)：300A
　　短路电流能力：600A（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　绝缘等级：符合UL标准，爬电距离大于8mm
　　封装类型：半桥拓扑结构
　　芯片技术：采用第四代IGBT芯片（E4）和第五代二极管芯片（I50）
　　模块尺寸：约148mm x 96mm x 18mm
　　重量：约600克

SEMIX303GB12E4I50P模块采用了赛米控先进的芯片技术，包括第四代IGBT芯片（E4）和第五代二极管芯片（I50）。这些芯片技术提供了更低的开关损耗和导通压降，从而提高了模块的效率。模块采用半桥拓扑结构，便于在逆变器和变频器中使用。此外，该模块具有优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　该模块还具备高短路耐受能力，可承受高达600A的短路电流，从而提高了系统的可靠性。模块的封装设计符合UL标准，具备良好的绝缘性能和机械强度。此外，模块内部采用低电感设计，减少了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的稳定性。
　　SEMIX303GB12E4I50P模块支持多种冷却方式，包括风冷和水冷，适用于不同的应用场景。模块的设计还考虑了EMI（电磁干扰）控制，减少了对外部设备的干扰。模块内部集成了温度传感器，便于实时监测模块的工作温度，确保系统安全运行。

SEMIX303GB12E4I50P模块广泛应用于各种高功率电力电子设备中，包括工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电能质量调节设备（如APF和SVG）等。由于其高可靠性和优异的性能，该模块也适用于对可靠性要求较高的轨道交通和航空航天领域。

SEMIX303GB12E4I50P的替代型号包括SEMiX303GB12E4S、SEMiX303GB12E4I50P、SEMiX303GB12E4I50P-01等。这些型号在电气性能和机械结构上与SEMIX303GB12E4I50P相似，可以根据具体需求进行选择。