时间：2025/5/21 19:40:41
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TF060N04MG 是一款高性能的 N 沫场效应晶体管（NMOS），适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高效率，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
该 NMOS 晶体管的主要特点是其优化的设计使得它在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
型号：TF060N04MG
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：6mΩ
Id（持续漏电流）：60A
Vgs(th)（阈值电压）：2V ~ 4V
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
TF060N04MG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达 60A 的持续漏电流。
3. 较宽的工作电压范围，适用于多种电路设计。
4. 稳定的电气性能，在不同温度条件下表现优异。
5. 封装采用 TO-220，具有良好的散热性能，便于集成到功率系统中。
6. 快速开关速度，适合高频应用环境。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
TF060N04MG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 各类负载开关和保护电路，如过流保护和短路保护。
3. 电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机。
4. 电池管理系统 (BMS)，用作充放电路径的开关元件。
5. 工业自动化设备中的功率级控制元件。
6. 汽车电子系统的功率转换与控制模块。
该器件凭借其卓越的性能和可靠性，成为许多功率电子应用的理想选择。
IRFZ44N
STP60NF06L
FDP068N06L
