时间：2025/12/23 10:25:16
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TF050N04M 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于多种开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关以及电机驱动等场景。由于其低导通电阻和良好的开关特性，能够有效提升系统效率并减少热损耗。
该 MOSFET 的耐压能力为 40V，并具备快速开关速度和较低的栅极电荷，使其在高频工作条件下表现优异。此外，其漏源极电流最大可达 5A（在特定的工作条件下），非常适合中低电压应用。
最大漏源极电压(Vds)：40V
最大栅源极电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：15mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：8nC
总电容(Ciss)：650pF
连续工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
1. 高效开关性能，支持高频应用
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗
3. 快速开关速度，适合对动态响应要求较高的场景
4. 紧凑型 TO-252 封装，节省 PCB 空间
5. 工作可靠，具有高耐压能力和良好的热稳定性
6. 符合 RoHS 标准，环保设计
7. 内部雪崩击穿保护，增强耐用性
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 各类负载开关及保护电路
3. 电池管理与充电系统
4. 电机驱动与控制
5. LED 驱动电路
6. 工业自动化设备中的功率转换模块
