TF0130D 时间：2025/4/28 14:42:56 阅读：3

TF0130D是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
　　TF0130D属于N沟道增强型MOSFET，其工作电压范围较广，适用于多种工业和消费类电子应用。由于其出色的电气性能和可靠性，该器件在需要高效能和稳定性的电路中表现出色。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：130A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　总功耗：280W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

TF0130D的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高额定电流能力，可支持大功率应用场景。
　　3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
　　4. 优化的热性能设计，确保在高温环境下的可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
　　6. 提供短路保护和热关断功能，增强了器件的安全性和稳定性。

应用

TF0130D适用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. DC-DC转换器和逆变器的核心组件。
　　4. 工业自动化设备中的负载控制。
　　5. 大功率LED驱动器中的开关元件。
　　6. 其他需要高效能功率开关的应用场景。