HM75N75 时间：2025/5/13 8:46:30 阅读：5

HM75N75是一款基于硅材料制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于需要高效率开关和低导通电阻的场景。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于电源管理、电机驱动、开关电源以及各种工业控制应用中。
　　HM75N75采用了先进的制造工艺，使其在性能上具有显著优势，包括优异的开关特性和热稳定性。其封装形式通常为TO-220，这种封装能够有效提高散热性能，确保器件在高功率应用场景下的可靠性。

参数

最大漏源电压：75V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：0.04Ω
　　栅极电荷：60nC
　　开关速度：30ns
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

1. HM75N75具有非常低的导通电阻，这可以减少功率损耗，提升整体系统效率。
　　2. 器件采用TO-220标准封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。
　　3. 高电流承载能力使得该MOSFET非常适合用于大功率电路设计。
　　4. 快速开关特性有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
　　5. 广泛的工作温度范围（-55℃到+150℃）使其能够在恶劣环境下保持可靠的性能。