时间：2025/6/22 9:35:14
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TESDN052AT23 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于电源管理、快充适配器、无线充电以及高频逆变器等领域。该器件采用了先进的封装技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，显著提升了系统的能效和功率密度。
此型号属于 Enhancement Mode（E-Mode） GaN FET 系列，其内部集成了驱动保护电路，能够有效防止过流、过热等异常状况，从而提高系统的可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（因 GaN 技术无反向恢复电荷特性）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：DFN8 3x3mm
TESDN052AT23 具有出色的性能表现，主要体现在以下方面：
1. 高开关频率：由于 GaN 材料的特殊属性，使得器件能够支持 MHz 级别的开关频率，相较于传统硅基 MOSFET 大幅提升。
2. 低导通损耗：140mΩ 的导通电阻确保了在高负载条件下依然保持较低的功耗。
3. 高可靠性：内置完善的保护机制，包括静电防护（ESD Protection）和热关断功能。
4. 小型化设计：采用 DFN8 封装，体积小巧，非常适合对空间要求严格的场景。
5. 快速动态响应：极低的栅极电荷和输出电容使其能够在快速变化的工作条件下提供稳定的输出。
TESDN052AT23 的典型应用场景包括：
1. USB PD 快充适配器：
在现代快充方案中，GaN 器件因其高效率和小尺寸成为首选，可实现超薄便携式充电器。
2. LED 驱动电源：
能够满足高效恒流驱动的需求，尤其适合高频调光的应用。
3. 开关电源（SMPS）：
提供更高功率密度的设计选择，降低系统整体成本。
4. 无线充电发射端：
支持高频率谐振操作，提升能量传输效率。
5. 消费类电子设备：
包括笔记本电脑电源适配器、平板电脑充电器以及其他手持设备的供电解决方案。
TEGDN065A02T23, TEGSN052B03T23
