时间：2025/6/6 15:30:53
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CDR31BP2R0BCZSAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频、高效能应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源管理、工业设备及通信系统等领域。
这款 GaN 晶体管通过优化的芯片设计实现了卓越的性能表现，在高频工作条件下能够提供更高的效率和更低的损耗，同时其紧凑的封装形式使其非常适合对空间要求较高的应用场景。
型号：CDR31BP2R0BCZSAT
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
材料：氮化镓（GaN）
导通电阻（Rds(on)）：2.0 mΩ（典型值，Vgs=6V）
击穿电压（BVDSS）：600 V
最大漏极电流（Id）：45 A
栅极电荷（Qg）：75 nC
开关频率：支持高达数MHz的应用
封装形式：TO-263-7L
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CDR31BP2R0BCZSAT 的主要特性包括以下几点：
1. 高效性：得益于氮化镓材料的优异性能，该晶体管在高频下表现出非常高的效率，显著降低开关和传导损耗。
2. 快速开关能力：具有超低的栅极电荷和输出电荷，能够实现快速的开关切换，适合高频应用环境。
3. 紧凑设计：采用了小型化的封装形式，从而节省了PCB空间，非常适合需要高密度集成的设计。
4. 高可靠性：经过严格的测试与验证，确保在各种严苛的工作条件下保持稳定运行。
5. 宽泛的工作范围：支持较宽的电压和电流范围，满足多种应用场景的需求。
CDR31BP2R0BCZSAT 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源转换器：用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中，提升效率并减小体积。
2. 工业驱动器：适用于电机控制和其他工业自动化设备中的功率驱动部分。
3. 通信基础设施：在基站功率放大器和其他通信设备中提供高效的功率处理能力。
4. 新能源系统：例如太阳能逆变器和储能系统的功率模块。
5. 汽车电子：可应用于车载充电器、DC/DC转换器等汽车相关电子产品中。
CDR31BP3R0BCZSAT, CDR31BP4R0BCZSAT
