CR2050HR HBB-T66是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提高效率并减少功耗。
该MOSFET适用于多种应用领域,例如电源管理、电机驱动、负载开关等。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多设计中的理想选择。
类型:增强型N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:14A(@25°C)
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(@Vgs=10V)
栅极电荷Qg:38nC
开关时间:ton=15ns,toff=12ns
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-263
CR2050HR HBB-T66的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
3. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
4. 较高的雪崩能力和鲁棒性,增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 提供了宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
这些特性使得CR2050HR HBB-T66在需要高效功率转换和可靠运行的应用中表现出色。
CR2050HR HBB-T66可以应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. DC/DC转换器中的同步整流器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其优异的性能,CR2050HR HBB-T66在消费电子、工业设备以及汽车电子等领域均有广泛应用。
CR2050HRA HBB-T66, CR2050HRB HBB-T66