时间：2025/8/4 7:12:01
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TES 2N-1212 是一款由 TES（东电化电子）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电源管理和电机控制等电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适合于需要高效率和高可靠性的电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：120V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：12A
脉冲漏极电流（IDM）：48A
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
TES 2N-1212 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和高电流容量。该器件采用先进的平面技术制造，具有优异的热稳定性和可靠性。其低 RDS(on) 特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，适用于高频率开关应用。此外，该 MOSFET 具有良好的热保护能力，可在高温环境下稳定工作。
该器件的封装形式通常为 TO-220 或 TO-252，便于安装在散热器上，从而提高散热性能。其高耐压特性使其适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统等。此外，TES 2N-1212 还具有快速开关能力，适用于需要高频率操作的电路设计。
TES 2N-1212 主要用于各种功率电子设备中，包括开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、逆变器以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，例如电动车电池管理系统、LED 照明驱动电路以及家用电器中的功率控制模块。
IRF540, FQP12N10L, STP12NK10Z
