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STP50NE10 发布时间 时间:2023/6/12 11:10:30 查看 阅读:277

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:STripFET?

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫欧 @ 25A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:166nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6000pF @ 25V

功率 - 最大:180W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

包装:管件

其它名称:497-2644-5

资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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STP50NE10参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs166nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 25V
  • 功率 - 最大180W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2644-5