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AP9962AGM-HF 发布时间 时间:2025/12/28 11:50:21 查看 阅读:14

AP9962AGM-HF是一款由Diodes Incorporated(原Aerosemi)推出的高性能、低导通电阻、P沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术制造,专为高效率电源管理应用而设计。该器件特别适用于负载开关、电池供电设备中的电源控制以及DC-DC转换电路等场景。AP9962AGM-HF封装于小型化的SO-8(Gull-Wing)表面贴装封装中,有助于节省PCB空间,适合便携式电子设备的紧凑设计需求。该器件符合RoHS环保标准,并带有“HF”后缀,表示其为无铅(Lead-Free)且符合有害物质限制指令的环保型号。由于其优异的电气性能和可靠性,AP9962AGM-HF广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及其他对能效和尺寸有严格要求的消费类电子产品中。该MOSFET在栅极电压较低时即可实现充分导通,支持逻辑电平驱动,使其能够直接由数字IC或微控制器进行控制,无需额外的驱动电路,从而简化系统设计并降低成本。

参数

型号:AP9962AGM-HF
  制造商:Diodes Incorporated
  器件类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大连续漏极电流(ID):-5.7A(@TC=70°C)
  最大脉冲漏极电流(IDM):-16A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻RDS(on):45mΩ(@VGS=-10V)
  导通电阻RDS(on):53mΩ(@VGS=-4.5V)
  导通电阻RDS(on):65mΩ(@VGS=-2.5V)
  阈值电压(VGS(th)):-1.0V ~ -2.0V
  输入电容(Ciss):590pF(@VDS=-15V)
  输出电容(Coss):245pF(@VDS=-15V)
  反向传输电容(Crss):50pF(@VDS=-15V)
  栅极电荷(Qg):12nC(@VGS=-10V)
  功耗(PD):1.25W(@TA=25°C)
  工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SO-8

特性

AP9962AGM-HF采用先进的沟槽式MOSFET工艺,具备极低的导通电阻,这显著降低了在导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=-10V时仅为45mΩ,在同类P沟道MOSFET中处于领先水平,即使在较低的栅极驱动电压下,如-4.5V或-2.5V,仍能保持较低的导通电阻,确保在电池供电等电压受限的应用中依然具有良好的开关性能。这种低RDS(on)特性对于减少发热、提升系统可靠性至关重要,尤其在高电流负载切换或持续导通的应用中表现突出。
  该器件具有快速的开关响应能力,得益于其优化的栅极结构和较低的输入/输出电容。Ciss为590pF,Coss为245pF,Crss为50pF,在高频开关应用中能够有效降低开关损耗,提高转换效率。同时,较低的栅极电荷(Qg=12nC)意味着驱动电路所需的能量更少,进一步提升了能效并减轻了驱动IC的负担。这对于使用微控制器GPIO直接驱动的应用尤为重要,避免因驱动能力不足导致的开关延迟或过热问题。
  AP9962AGM-HF具备良好的热稳定性和可靠性,其最大结温可达+150°C,可在严苛的工作环境下稳定运行。SO-8封装不仅体积小巧,还具备较好的散热性能,通过PCB布局优化可实现有效的热管理。此外,该器件内置体二极管,可用于提供反向电流路径,在某些拓扑结构中起到保护作用。其阈值电压范围为-1.0V至-2.0V,属于典型的逻辑电平兼容范围,非常适合用于3.3V或5V系统中的电源开关控制。
  该MOSFET还具备出色的抗静电能力(ESD)和鲁棒的栅氧化层设计,增强了在实际生产与使用过程中的耐用性。其无铅环保设计符合现代电子产品对绿色制造的要求,适用于全球市场的出口产品。总体而言,AP9962AGM-HF是一款集高性能、小尺寸、高可靠性和环保特性于一体的P沟道MOSFET,是中低功率电源管理应用的理想选择。

应用

AP9962AGM-HF广泛应用于各类需要高效电源开关控制的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关,例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理、Wi-Fi或蓝牙模块的电源启停等,利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效的电源分配与节能管理。在电池供电系统中,该器件常用于电池反接保护、充放电路径控制以及多电源选择开关,防止电流倒灌并确保系统安全。此外,它也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关配置,尤其是在采用P沟道架构的降压变换器中,简化驱动电路设计。工业控制设备、医疗电子设备和智能家居产品中,AP9962AGM-HF可用于隔离不同功能模块的电源域,实现按需供电以降低待机功耗。其SO-8封装便于自动化贴片生产,适合大规模制造。由于其良好的温度特性和稳定性,也可用于汽车电子中的非动力总成类低压控制系统,如车载信息娱乐系统或传感器模块的电源管理。总之,凡是在-30V电压范围内需要高效率、小体积P沟道MOSFET的场合,AP9962AGM-HF都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

AO4479
  Si3463DV
  FDS6680A
  NXP BSS84

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