时间：2025/9/14 15:32:35
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PIMH9,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TSSOP 封装（Thin-Shrink Small Outline Package），适用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，适合用于电池管理、电源转换、负载开关等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：4.2A
导通电阻 Rds(on)：285mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on)：340mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSSOP
引脚数：8
阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 2.5V
PIMH9,115 具备多个显著的技术特性，使其在众多功率 MOSFET 中脱颖而出。首先，其较低的导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 285mΩ，而在 4.5V 时也保持在 340mΩ 的较低水平，这使得它适用于多种栅极驱动电压条件。
其次，该器件采用 TSSOP 封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的设计中使用。同时，TSSOP 封装具备良好的热性能，能够有效散热，提高器件在高负载条件下的稳定性。
此外，PIMH9,115 的最大漏源电压为 30V，栅源电压范围为 ±20V，具有较高的电压耐受能力，适合多种电源管理应用。其阈值电压范围为 1V 至 2.5V，表明其在较低的栅极电压下即可导通，适用于低电压控制电路。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，可在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。其最大连续漏极电流为 4.2A，功率耗散能力为 1.4W，能够满足中等功率应用的需求。
PIMH9,115 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC 转换器、电池充电与管理电路、电机驱动控制、LED 照明驱动电路以及工业自动化控制系统。在电池供电设备中，该器件可作为高效率的开关元件，降低能量损耗，延长电池续航时间。由于其封装小巧且具备良好的热性能，PIMH9,115 也常用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等的电源管理模块中。
在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载充电系统、车灯控制等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。此外，在工业控制和通信设备中，PIMH9,115 也常用于电源分配、信号切换等关键电路中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTR4502P, BSS138K
