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TEMT6 发布时间 时间:2025/7/22 9:46:44 查看 阅读:17

TEMT6 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电路中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点,适合在高频率和高电流环境下工作。TEMT6 通常采用 TO-252(DPAK)封装形式,便于安装和散热。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A(在 25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大 0.045Ω(在 VGS = 10V)
  功率耗散(PD):37W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

TEMT6 是一款高性能的功率 MOSFET,具有多项优势使其在多种电源应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率,这对于需要高效率的电源设计尤为重要。其次,该器件支持高达 10A 的连续漏极电流,适用于中高功率应用场景,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动器。此外,TEMT6 的栅极驱动电压范围较宽(最高可达 20V),使其兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。
  该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,进一步优化了导通性能和开关速度,从而在高频应用中也能保持较低的开关损耗。TO-252(DPAK)封装具有良好的热性能和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产和安装。此外,TEMT6 在高温环境下仍能稳定工作,其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于工业级和汽车电子应用。
  安全性和可靠性方面,TEMT6 在设计中考虑了过热保护和短路耐受能力,能够在一定程度上抵御异常工况的影响,延长器件使用寿命。因此,TEMT6 不仅适合常规电源管理应用,也可用于对可靠性要求较高的系统中,如汽车电子、工业控制和通信设备。

应用

TEMT6 主要应用于各类电源管理系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统(BMS)。此外,该器件也可用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子控制系统中,如车载充电器、电动工具和 LED 驱动电源等。由于其良好的热稳定性和高效率特性,TEMT6 在需要高效能、高可靠性的设计中尤为受欢迎。

替代型号

IRFZ44N, FDP6680, STP10NK60Z, FQP10N60C

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