时间：2025/7/11 17:35:48
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HH18N470F500CT 是一款高压超结 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的超结技术设计，能够提供低导通电阻和快速开关性能。该器件适用于高电压、高效率的电源转换应用场合，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其封装形式为TO-247-3，具有良好的散热性能。
型号：HH18N470F500CT
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：700V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.36Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗（Ptot）：280W
工作温度范围（Tj）：-55℃ 至 +150℃
封装：TO-247-3
HH18N470F500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 超结结构设计，有效降低导通电阻并提升功率密度。
2. 极低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度并减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下仍能可靠运行。
4. 快速体二极管恢复时间，适合高频应用。
5. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，增强系统稳定性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
HH18N470F500CT 广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景，主要包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
2. 电机驱动和控制电路，尤其是需要高电压支持的应用。
3. 工业级 DC-DC 转换器和逆变器。
4. 充电器和适配器设计，特别适用于笔记本电脑和其他高功率设备。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各类工业自动化设备中的高压开关控制部分。
IRFP460, STW120N75DM2, FQA18P75E
