时间：2025/5/23 4:11:25
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PESD5V0U1SF 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为高速数据接口提供静电放电 (ESD) 和浪涌保护而设计。它具有超低电容特性，非常适合高速信号线防护，例如 USB、HDMI 和其他高速通信协议。
该器件采用双向配置，能够在正负方向上都提供有效的保护，确保信号完整性的同时防止过压事件对敏感电子设备造成损坏。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±20A
最大箝位电压：7.9V
结电容：0.4pF
响应时间：1ps
封装形式：DFN1006-2（1.0x0.6mm）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 超低结电容（仅0.4pF），适合高速数据线路应用。
2. 快速响应时间（1ps），可迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 双向配置支持正负双向保护。
4. 高度可靠的ESD保护能力，符合IEC61000-4-2标准（接触放电±30kV，空气放电±30kV）。
5. 小型化封装（DFN1006-2），节省PCB空间。
6. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），适应多种恶劣环境。
1. 高速数据接口保护（如USB、HDMI、DisplayPort等）。
2. 移动设备（智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中的ESD防护。
3. 汽车电子系统中的信号线路保护。
4. 工业自动化和通信设备中的接口保护。
5. 网络设备（路由器、交换机等）的数据线防护。
PESD5V0U2SF
PESD5V0UA1BSF
PESD5V0UT1BA
