类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：170A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为3.2mΩ（最大值为4.0mΩ）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散(Pd)：250W

SK170DHL126 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够支持高达170A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度的设计。这款MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于自动贴装工艺，提高了生产效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在10V至20V之间工作，确保了其在不同应用中的兼容性。SK170DHL126 还具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。此外，该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统的整体性能。
　　SK170DHL126 的设计优化了热阻，使其在高负载条件下仍能保持较低的温度上升，从而减少了散热器的尺寸或在某些应用中完全省去散热器的需求。这种特性使其非常适合用于紧凑型设计和高功率密度的电源系统。

SK170DHL126 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：用于DC-DC转换器、同步整流器和电源模块，提供高效的能量转换。
　　2. **工业控制系统**：如电机驱动器、伺服控制系统和工业自动化设备中的功率开关。
　　3. **新能源领域**：在太阳能逆变器、风力发电变流器等新能源设备中作为关键的功率开关元件。
　　4. **汽车电子**：用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统、车载充电器和DC-AC逆变器。
　　5. **消费类电子产品**：如高性能电源适配器、笔记本电脑电源管理系统和高功率LED照明驱动电路。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，SK170DHL126 在需要高效、高稳定性的电源系统中得到了广泛应用。

SiHF170N120Y、IRFP4468PBF、FDMS86180、STP170N12F7AG